Dotierte Halbleiter - Elektronik

Veröffentlicht am 31.12.2004

Beschreibung

Die n-Dotierung des Halbleiters wird durch den gezielten Einbau 5-wertiger Fremdatome (Donator-Atome z.B. Phosphor) in das reine Halbleitergitter erreicht. Die dadurch entstehenden Störstellen sorgen im Zusammenhang mit den Warmeschwingungen des Gitters für mehr kurzzeitig freie Elektronen (negative bewegliche Ladungsträger) und verringern somit den elektrischen Widerstand im Halbleiter-Gitter. Die p-Dotierung des Halbleiters wird durch den gezielten Einbau 3-wertiger Fremdatome (Akzeptor-Atome z.B. Aluminium) erreicht. Die dadurch entstehenden Störstellen sorgen im Zusammenhang mit den Warmeschwingungen des Gitters für mehr positive bewegliche Ladungsträger = Defektelektronen / Löcher, was ebenfalls den elektrischen Widerstand im Halbleiter-Gitter verringert. Die Dotierung erfolgt im Verhältnis von ca. 1 Fremdatom : 1 Million Halbleiteratome.

Quelle

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